Uppgifter: Kinesiska Yangtze planerar expansion till DRAM - Reuters
Kinesiska Yangtze Memory Technologies vill expandera till DRAM-chip, enligt uppgifter till Reuters.
ANNONS
Bolaget är idag ledande på tillverkning av flashminnen i Kina, men planerar att expandera tillverkningen mot DRAM-chip, inklusive avancerade versioner som används för att tillverka chip för artificiell intelligens.
Draget understryker Pekings ambition att utveckla egen produktion inom området, efter att USA i december expanderat exportkontroller som begränsar Kinas tillgång till HBM (high-bandwidth memory), en speciell form av DRAM som används för att framställa AI-chip.
Enligt källor håller Yangtze på att utveckla en avancerad chipförpackningsteknik som kallas through-silicon via (TSV), som används för att stapla DRAM för att kunna producera HBM-chip.
Yangtze har inte återkommit med en kommentar.
HBM-chip tillverkas idag främst av amerikanska Micron och sydkoreanska duon SK Hynix och Samsung Electronics.
